Effects of residual impurities on Zn electrical activity in Zn-doped InGaAlP grown by metalorganic chemical vapor deposition

  1. Nishikawa, Y.
  2. Suzuki, M.
  3. Ishikawa, M.
  4. Kokubun, Y.
  5. Hatakoshi, G.-i.
Aldizkaria:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Argitalpen urtea: 1992

Alea: 123

Zenbakia: 1-2

Orrialdeak: 181-187

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/0022-0248(92)90022-B GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus