Proyecto de investigación
MAT98-0823-C03-02
Transistores de Gan para microondas: SI carburizado (SIC) como sustrato y relación estructura de defectos /propiedades optomicroelectrónicas mediante TEM-CL/EBIC.
date_range
Duración del 01 de diciembre de 1998 al 30 de noviembre de 2001
(36 meses)
Convocatoria:
2356
Programa General. Plan Nacional I+D+i
Investigadores/as
SERGIO IGNACIO
MOLINA RUBIO
Responsable
