Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy

  1. Mánuel, J.M.
  2. Morales, F.M.
  3. García, R.
  4. Aidam, R.
  5. Kirste, L.
  6. Ambacher, O.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Any de publicació: 2012

Volum: 357

Número: 1

Pàgines: 35-41

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2012.07.037 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Font de les dades: Scopus