Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy

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Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 357

Nummer: 1

Seiten: 35-41

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2012.07.037 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus