A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

  1. Sanchez, A.M.
  2. Nouet, G.
  3. Ruterana, P.
  4. Pacheco, F.J.
  5. Molina, S.I.
  6. Garcia, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2001

Volum: 79

Número: 22

Pàgines: 3588-3590

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1396322 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus