A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

  1. Sanchez, A.M.
  2. Nouet, G.
  3. Ruterana, P.
  4. Pacheco, F.J.
  5. Molina, S.I.
  6. Garcia, R.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 79

Zenbakia: 22

Orrialdeak: 3588-3590

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1396322 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus