A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

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  6. Garcia, R.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 79

Nummer: 22

Seiten: 3588-3590

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1396322 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus