A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

  1. Sanchez, A.M.
  2. Nouet, G.
  3. Ruterana, P.
  4. Pacheco, F.J.
  5. Molina, S.I.
  6. Garcia, R.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 2001

Volume: 79

Número: 22

Páxinas: 3588-3590

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.1396322 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus