Relaxation mechanism of InGaAs single and graded layers grown on (111)B GaAs

  1. Rojas, T.C.
  2. Molina, S.I.
  3. Sacedón, A.
  4. Valtueña, F.
  5. Calleja, E.
  6. García, R.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Año de publicación: 1998

Volumen: 317

Número: 1-2

Páginas: 270-273

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00527-0 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus