Boron concentration profiling by high angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy in homoepitaxial δ-doped diamond layers

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Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 103

Nummer: 4

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.4816418 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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