High temperature AlN intermediate layer in GaN grown by molecular beam epitaxy
- Stemmer, J.
- Fedler, F.
- Klausing, H.
- Mistele, D.
- Rotter, T.
- Semchinova, O.
- Aderhold, J.
- Sanchez, A.M.
- Pacheco, F.J.
- Molina, S.I.
- Fehrer, M.
- Hommel, D.
- Graul, J.
ISSN: 0022-0248
Any de publicació: 2000
Volum: 216
Número: 1
Pàgines: 15-20
Tipus: Article