Effects of residual impurities on Zn electrical activity in Zn-doped InGaAlP grown by metalorganic chemical vapor deposition

  1. Nishikawa, Y.
  2. Suzuki, M.
  3. Ishikawa, M.
  4. Kokubun, Y.
  5. Hatakoshi, G.-i.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 1992

Volumen: 123

Número: 1-2

Páginas: 181-187

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0022-0248(92)90022-B GOOGLE SCHOLAR
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