The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  1. Morales, F.M.
  2. Zgheib, Ch.
  3. Molina, S.I.
  4. Araújo, D.
  5. García, R.
  6. Fernández, C.
  7. Sanz-Hervás, A.
  8. Masri, P.
  9. Weih, P.
  10. Stauden, Th.
  11. Cimalla, V.
  12. Ambacher, O.
  13. Pezoldt, J.
Actes:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Any de publicació: 2004

Volum: 1

Número: 2

Pàgines: 341-346

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1002/PSSC.200303940 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus