The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  1. Morales, F.M.
  2. Zgheib, Ch.
  3. Molina, S.I.
  4. Araújo, D.
  5. García, R.
  6. Fernández, C.
  7. Sanz-Hervás, A.
  8. Masri, P.
  9. Weih, P.
  10. Stauden, Th.
  11. Cimalla, V.
  12. Ambacher, O.
  13. Pezoldt, J.
Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Ano de publicación: 2004

Volume: 1

Número: 2

Páxinas: 341-346

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200303940 GOOGLE SCHOLAR