The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  1. Morales, F.M.
  2. Zgheib, Ch.
  3. Molina, S.I.
  4. Araújo, D.
  5. García, R.
  6. Fernández, C.
  7. Sanz-Hervás, A.
  8. Masri, P.
  9. Weih, P.
  10. Stauden, Th.
  11. Cimalla, V.
  12. Ambacher, O.
  13. Pezoldt, J.
Aktak:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 1

Zenbakia: 2

Orrialdeak: 341-346

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1002/PSSC.200303940 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus