The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  1. Morales, F.M.
  2. Zgheib, Ch.
  3. Molina, S.I.
  4. Araújo, D.
  5. García, R.
  6. Fernández, C.
  7. Sanz-Hervás, A.
  8. Masri, P.
  9. Weih, P.
  10. Stauden, Th.
  11. Cimalla, V.
  12. Ambacher, O.
  13. Pezoldt, J.
Konferenzberichte:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 1

Nummer: 2

Seiten: 341-346

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/PSSC.200303940 GOOGLE SCHOLAR
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