A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2001

Volumen: 79

Número: 22

Páginas: 3588-3590

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1396322 GOOGLE SCHOLAR
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