Boron concentration profiling by high angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy in homoepitaxial δ-doped diamond layers

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2013

Volumen: 103

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4816418 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

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