Comparison of the Material Quality of AlxIn1−xN (x—0–0.50) Films Deposited on Si(100) and Si(111) at Low Temperature by Reactive RF Sputtering

  1. Sun, M.
  2. Blasco, R.
  3. Nwodo, J.
  4. de la Mata, M.
  5. Molina, S.I.
  6. Ajay, A.
  7. Monroy, E.
  8. Valdueza-Felip, S.
  9. Naranjo, F.B.
Revista:
Materials

ISSN: 1996-1944

Ano de publicación: 2022

Volume: 15

Número: 20

Tipo: Artigo

DOI: 10.3390/MA15207373 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
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