The role of Ge predeposition temperature in the MBE epitaxy of SiC on silicon

  1. Morales, F.M.
  2. Zgheib, Ch.
  3. Molina, S.I.
  4. Araújo, D.
  5. García, R.
  6. Fernández, C.
  7. Sanz-Hervás, A.
  8. Masri, P.
  9. Weih, P.
  10. Stauden, Th.
  11. Cimalla, V.
  12. Ambacher, O.
  13. Pezoldt, J.
Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Año de publicación: 2004

Volumen: 1

Número: 2

Páginas: 341-346

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200303940 GOOGLE SCHOLAR
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