Metal-oxide-diamond interface investigation by TEM: Toward MOS and Schottky power device behavior

  1. Piñero, J.C.
  2. Araujo, D.
  3. Traoré, A.
  4. Chicot, G.
  5. Maréchal, A.
  6. Muret, P.
  7. Alegre, M.P.
  8. Villar, M.P.
  9. Pernot, J.
Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6319,  1862-6300

Any de publicació: 2014

Volum: 211

Número: 10

Pàgines: 2367-2371

Tipus: Article

DOI: 10.1002/PSSA.201431178 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus