Metal-oxide-diamond interface investigation by TEM: Toward MOS and Schottky power device behavior

  1. Piñero, J.C.
  2. Araujo, D.
  3. Traoré, A.
  4. Chicot, G.
  5. Maréchal, A.
  6. Muret, P.
  7. Alegre, M.P.
  8. Villar, M.P.
  9. Pernot, J.
Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6319,  1862-6300

Ano de publicación: 2014

Volume: 211

Número: 10

Páxinas: 2367-2371

Tipo: Artigo

DOI: 10.1002/PSSA.201431178 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus