Comparison of the Material Quality of AlxIn1−xN (x—0–0.50) Films Deposited on Si(100) and Si(111) at Low Temperature by Reactive RF Sputtering

  1. Sun, M.
  2. Blasco, R.
  3. Nwodo, J.
  4. de la Mata, M.
  5. Molina, S.I.
  6. Ajay, A.
  7. Monroy, E.
  8. Valdueza-Felip, S.
  9. Naranjo, F.B.
Revista:
Materials

ISSN: 1996-1944

Año de publicación: 2022

Volumen: 15

Número: 20

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/MA15207373 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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