Metal-oxide-diamond interface investigation by TEM: Toward MOS and Schottky power device behavior

  1. Piñero, J.C.
  2. Araujo, D.
  3. Traoré, A.
  4. Chicot, G.
  5. Maréchal, A.
  6. Muret, P.
  7. Alegre, M.P.
  8. Villar, M.P.
  9. Pernot, J.
Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6319 1862-6300

Año de publicación: 2014

Volumen: 211

Número: 10

Páginas: 2367-2371

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/PSSA.201431178 GOOGLE SCHOLAR